Co2 +: MgAl2O4 Un Novu Materiale Per Saturable Absorber Passive Q-switch
Descrizzione di u produttu
A sezione trasversale à alta assorbimentu di 3,5 x 10-19 cm2 permette u Q-switching di Er:laser di vetru senza focalizazione intracavità sia cù lampada flash è pompa laser diode. L'absorzione di u statu excitatu insignificante risultati in un altu cuntrastu di Q-switch, vale à dì u rapportu di l'iniziale (picculu signalu) à l'assorbimentu saturatu hè più altu di 10. Infine, eccellenti proprietà ottiche, meccaniche è termiche di u cristallu dà l'uppurtunità di cuncepimentu compactu. e fonti laser affidabili cù stu Q-switch passivu.
A dimensione di u dispusitivu hè diminuita è una fonte di putenza d'alta tensione hè eliminata quandu Q-switches passivi o assorbitori saturabili sò usati per creà impulsi laser d'alta putenza invece di Q-switches elettro-ottici. U cristallu forte è robustu, cunnisciutu cum'è spinel, lucida bè. Senza ioni di compensazione di carica extra, u cobaltu pò facilmente rimpiazzà u magnesiu in l'ospite spinel. Per u pompamentu di lampa flash è laser diode, a sezione trasversale di alta assorbimentu di u laser Er:glass (3.510-19 cm2) permette Q-switching senza focus intracavità.
A putenza media di output seria 580 mW cù una larghezza di impulsu di 42 ns è una putenza di pompa assorbita di 11,7 W. L'energia di un unicu impulsu Q-switched hè stata calculata per esse circa 14,5 J, è a putenza piccu hè 346 W. à una freccia di ripetizione di circa 40 kHz. Inoltre, parechji stati di polarizazione di l'azzione di commutazione Q passiva di Co2 +: LMA sò stati esaminati.
Pruprietà di basa
Formula | Co2+: MgAl2O4 |
Struttura cristallina | Cubicu |
Orientazione | |
Superficie | flat / flat |
Qualità di a superficia | 10-5 SD |
Pianità di a superficia | <ʎ/10 @ 632,8 nm |
Riflessività di i rivestimenti AR | <0,2 % @ 1540 nm |
Soglia di dannu | > 500 MW / cm 2 |
Diamitru | tipicu: 5-10 mm |
Tolleranza dimensionale | +0/-0,1 mm |
Trasmissioni | tipicu: 0.70,0.80,0.90@1533nm |
Sezione trasversale di assorbimentu | 3,5×10^-19 cm2 @ 1540 nm |
Errore di parallelismu | <10 arcsec |
Perpendicularità | <10 arcmin |
Smusso di prutezzione | <0,1 mm x 45 ° |