CVDhè u materiale cù a più alta cunduttività termica trà e sustanze naturali cunnisciute. A cunduttività termica di u materiale di diamante CVD hè alta cum'è 2200W/mK, chì hè 5 volte quella di u rame. Hè un materiale di dissipazione di u calore cù una cunduttività termica ultra-alta. A cunduttività termica ultra-alta di u diamante CVD Pò dissipà efficacemente u calore generatu da u dispusitivu è hè u megliu materiale di gestione termica per i dispusitivi à alta densità di flussu di calore.
L'applicazione di dispositivi di putenza à semiconduttori di terza generazione in campi d'alta tensione è d'alta frequenza hè diventata gradualmente u focu di u sviluppu di l'industria mundiale di i semiconduttori. I dispositivi GaN sò largamente usati in campi d'alta frequenza è d'alta putenza cum'è e cumunicazioni 5G è a rilevazione radar. Cù l'aumentu di a densità di putenza è a miniaturizazione di i dispositivi, l'effettu di autoriscaldamentu in l'area attiva di u chip di u dispositivu aumenta rapidamente, causendu una diminuzione di a mobilità di u purtatore è u dispositivu. E caratteristiche statiche 1-V sò attenuate, diversi indicatori di prestazione si deterioranu rapidamente, è l'affidabilità è a stabilità di u dispositivu sò seriamente messe in discussione. L'integrazione di chip di diamante CVD à conducibilità termica ultra-alta è di GaN pò dissipà efficacemente u calore generatu da u dispositivu, migliurà l'affidabilità è a durata di serviziu di u dispositivu, è realizà sistemi elettronichi compatti.
U diamante CVD cù una cunduttività termica ultra-alta hè u megliu materiale di dissipazione di u calore per cumpunenti elettronichi di alta putenza, alte prestazioni, miniaturizati è altamente integrati. Hè largamente utilizatu in cumunicazioni 5G, difesa naziunale, aerospaziale, trasporti è altri campi. Casi d'applicazione tipici è vantaghji di prestazioni di i materiali di diamante à cunduttività termica ultra-alta:
1. Dissipazione di u calore di u dispusitivu radar GaN RF; (alta putenza, alta frequenza, miniaturizazione)
2. Dissipazione di u calore di u laser à semiconduttore; (alta putenza di uscita, alta efficienza di cunversione elettro-ottica)
3. Dissipazione di u calore di a stazione di basa di cumunicazione à alta frequenza; (alta putenza, alta frequenza)
Data di publicazione: 10 ottobre 2023