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I prudutti

Nd:YVO4 -Laser à stati solidi pompati diodi

Descrizione breve:

Nd: YVO4 hè unu di i cristalli d'ospite laser più efficaci attualmente esistenti per i laser à stati solidi pompati da laser diodi.Nd: YVO4 hè un cristallu eccellente per laser à stati solidi pompati diodi d'alta putenza, stabili è costuali.


Detail di u produttu

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Descrizzione di u produttu

Nd: YVO4 pò pruduce laser IR, verdi, blu putenti è stabili cù u disignu di Nd: YVO4 è cristalli di doppia frequenza.Per l'applicazioni in u quali hè necessariu un disignu più compactu è a produzzione in modu unicu-longitudinal, Nd:YVO4 mostra i so vantaghji particulari annantu à l'altri cristalli laser cumunimenti usati.

Vantaghji di Nd:YVO4

● Low threshold lasing è alta efficienza pende
● Large stimulated emission cross-section à lasing wavelength
● Assorbimentu altu nantu à una larghezza di banda larga d'onda di pumping
● Otticamente uniaxial è grande birefringence emette laser polarized
● Bassa dipendenza da u pumping wavelength è tendenu à unicu modu di output

Pruprietà di basa

Densità atomica ~ 1,37x1020 atomi/cm2
Struttura cristallina Zircon Tetragonal, gruppu spaziale D4h, a=b=7.118, c=6.293
Densità 4,22 g/cm2
Durezza di Mohs Vetru-like, 4,6 ~ 5
Espansione termale
Coefficient
αa=4,43x10-6/K,αc=11,37x10-6/K
Puntu di fusione 1810 ± 25 ℃
Lunghezze d'onda Lasing 914 nm, 1064 nm, 1342 nm
otticu termale
Coefficient
dna/dT=8,5x10-6/K, dnc/dT=3,0x10-6/K
Emissione Stimulata
Seccion transversale
25,0x10-19 cm2, @1064 nm
Fluorescent
A vita
90 ms (circa 50 ms per 2 atm% Nd drogati)
@ 808 nm
Coefficient d'absorption 31,4 cm-1 @ 808 nm
Lunghezza di Assorbimentu 0,32 mm @ 808 nm
Perdita intrinseca Meno 0,1% cm-1, @1064 nm
Guadagna larghezza di banda 0,96 nm (257 GHz) @ 1064 nm
Laser polarizatu
Emissione
parallele à l'asse otticu (asse c)
Diode Pompatu
Da l'otticu à l'otticu
Efficienza
> 60%
Equazione di Sellmeier (per i cristalli YVO4 puri) no2(λ) =3,77834+0,069736/(λ2 - 0,04724) - 0,0108133λ2
  no2(λ) =4,59905+0,110534/(λ2 - 0,04813) - 0,0122676λ2

Parametri tecnichi

Nd cuncentrazione di dopanti 0,2 ~ 3 atm%
Tolleranza di dopante in u 10% di a cuncentrazione
Lunghezza 0,02 ~ 20 mm
Specifica di u rivestimentu AR @ 1064 nm, R < 0,1% & HT @ 808 nm, T>95%
HR @ 1064 nm, R>99,8% & HT @ 808nm, T>9%
HR @ 1064 nm, R>99,8%, HR @ 532 nm, R>99% & HT @ 808 nm, T>95%
Orientazione direzzione cristallina a-cut (+/-5 ℃)
Tolleranza dimensionale +/-0.1mm (tipica), Alta precisione +/-0.005mm pò esse dispunibule nantu à dumanda.
Distorsione di fronte d'onda <λ/8 à 633 nm
Qualità di a superficia Megliu cà 20/10 Scratch/Dig per MIL-O-1380A
Parallelismu < 10 arc seconde

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